亚洲AV人人爽人人夜,999AV,一级做a爰片毛片免费,免费精品久久久久久中文字幕无码

首頁
關于我們
公司簡介企業(yè)新聞發(fā)展歷程企業(yè)榮譽合規(guī)誠信新品發(fā)布招聘信息技工教育
產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護二極管
MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車電子
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復二極管
超高效整流二極管
超快恢復二極管
肖特基二極管
光伏二極管
焊接二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復二極管肖特基二極管

保護器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護器
靜電保護二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
快速/相控晶閘管

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
SiC汽車電子肖特基二極管
SiC汽車電子MOSFET

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護芯片

8寸晶圓

集成電路

負載開關
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準
開關電源轉換器

產(chǎn)品參照

中文 EN

首頁

關于我們

新品發(fā)布

650V Super Junction N-Channel MOSFET

650V Super Junction N-Channel MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設計的650V系列超結產(chǎn)品，可以滿足低導通損耗、低開關損耗、EMI兼容性以及不同電路拓撲結構應用要求，產(chǎn)品具有良好的導通內(nèi)阻（Rdson)和柵極電荷（Qg)性能，降低導通損耗和開關損耗，更低的開關噪聲、更低的Trr，綜合提升系統(tǒng)穩(wěn) 定性及性能。
2.開關速度與EMI平衡、更低的Trr特點，適用于充電器，電源適配器，TV電源、工業(yè)電源等領域，亦可滿足一些半橋或各種橋式電路拓撲結構應用要求。

產(chǎn)品特點 1.采用揚杰科技特殊多層外延工藝制程設計，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性，開關速度與EMI 平衡、更低的Trr特點；
2.系列產(chǎn)品具有低導通電阻、低柵極電荷、導通損耗和開關損耗低的特點；
3.采用TO-252/ITO-220AB封裝，具有更好的熱值特性。

規(guī)格書